μ PA675T
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
300
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Free air
50
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V GS = 2.0 V
250
40
1.8 V
200
30
Pe
To
ta
un
150
100
ro
ne
it
l
20
1.6 V
50
10
1.4 V
1.2 V
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2 3 4
5
500
T C - Ambient Temperature - ?C
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS = 3 V
200
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
T A = –25?C
200
T A = –25?C
100
50
25?C
75?C
50
20
10
V GS = 1.5 V
20
5
2.5 V
4.0 V
10
5
10
20 50
100
200
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
500
200
100
50
I D - Drain Current - mA
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
T A = 25?C
200
100
50
I D - Drain Current - mA
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
T A = 75?C
20
10
5
V GS = 1.5 V
2.5 V
4.0 V
20
10
5
V GS = 1.5 V
2.5 V
4.0 V
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
500
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
500
I D - Drain Current - mA
Data Sheet G15454EJ1V0DS
I D - Drain Current - mA
3
相关PDF资料
UPA677TB-T2-A MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70
UPA678TB-T2-A MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70
UPA679TB-T2-A MOSFET N/P-CH 20V SC-70
UPB1007K-E1-A IC DOWNCONVERT DL 3V 36-QFN
UPB1008K-EVAL EVAL BOARD FOR UPB1008K
UPB1009K-E1-A IC GPS RECEIVER LP 44-QFN
UPB1507GV-E1-A MMIC PRESCALER 3GHZ 8-SSOP
UPB1508GV-E1 MMIC PRESCALER 3GHZ 8-SSOP
相关代理商/技术参数
UPA677TB 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA677TB-T1-A 功能描述:MOSFET DL N-CH 20V SC-88 6SSP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA677TB-T2-A 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 20V SC-70 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA678TB 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA678TB-T1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.25A 6-Pin SC-88 T/R 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 0.25A 6PIN SC-88 - Tape and Reel
UPA678TB-T2-A 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 20V SC-70 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA679TB 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:N/P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA679TB-T1-A 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SC-70 6SSP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR